【全4册】芯片改变世界图解芯片技术芯想事成中国芯片产业的博弈与突围芯片制造半导体工艺制程实用教程（第 下载 pdf 百度网盘 epub 免费 2025 电子书 mobi 在线

图解芯片技术

定价

49.00

出版社

化学工业出版社

出版时间

2019年07月

开本

32

作者

田民波 编著

页数

300

ISBN编码

9787122339607

内容介绍

针对入门者、应用者及研究开发#者的多方面的需求，《图解芯片技术》在汇集大量资料的前提下，采用图文并茂的形式，全面且简明扼要地介绍芯片工作原理，集成电路材料，制作工艺，芯片的新进展、新应用及发展前景等。采用每章之下“节节清”的论述方式，左文右图，图文对照，并给出“本节重点”。力求做到深入浅出，通俗易懂；层次分明，思路清晰；内容丰富，重点突出；选材新颖，强调应用。

本书可供微电子、材料、物理、精密仪器等学科本科生及相关领域的工程技术人员参考。

作者简介

田民波，清华大学，材料学院，教授，博士生导师，长期从事材料学的教学预可研工作，在电子材料、封装技术、磁性材料、粉体材料等领域取得了原创性成就。已经和现承担的课题有：(1)科学基金重大项目“高密度封装的应用基础研究”，(2)国际合作项目“零收缩率LTCC研究”，(3)“十五”军工预研项目“新型叠层LCCC-3D MCM封装技术研究”，(4)“863”项目“银掺合型聚合物导体材料的研究和开发”，(5)“985”面上项目“低温共烧陶瓷多层基板及高密度封装研究等

目录

第1章 集成电路简介

1.1 概述2

1.1.1 从分立元件到集成电路2

1.1.2 由硅圆片到芯片再到封装4

1.1.3 三极管的功能——可以比作通过水闸的水路6

1.1.4 n沟道MOS（nMOS）三极管的工作原理 8

1.1.5 截止状态下MOS器件中的泄漏电流10

1.2 半导体硅材料——集成电路的核心与基础12

1.2.1 MOS型与双极结型晶体管的比较12

1.2.2 CMOS构造的断面模式图（p型硅基板）14

1.2.3 快闪存储器单元三极管“写入”“擦除”“读取”的工作原理16

1.3 集成电路元件的分类18

1.3.1 IC的功能及类型18

1.3.2 RAM和ROM20

1.3.3 半导体器件的分类方法22

1.4 半导体器件的制作工艺流程24

1.4.1 前道工艺和后道工艺24

1.4.2 IC芯片制造工艺流程简介26

书角茶桌

集成电路发展史上的十大里程碑事件28

第2章 从硅石到晶圆

2.1 半导体硅材料36

2.1.1 硅是目前#重要的半导体材料36

2.1.2 单晶硅中的晶体缺陷38

2.1.3 pn结中杂质的能级40

2.1.4 按电阻对绝缘体、半导体、导体的分类42

2.2 从硅石到金属硅，再到99.999999999%的高纯硅44

2.2.1 从晶石原料到半导体元器件的制程44

2.2.2 从硅石还原为金属硅46

2.2.3 多晶硅的析出和生长48

2.3 从多晶硅到单晶硅棒50

2.3.1 改良西门子法生产多晶硅 50

2.3.2 直拉法（Czochralski，CZ法）拉制单晶硅52

2.3.3 区熔法制作单晶硅54

2.3.4 直拉法中位错产生的原因及消除措施56

2.4 从单晶硅到晶圆58

2.4.1 晶圆尺寸不断扩大 58

2.4.2 先要进行取向标志的加工60

2.4.3 将硅坯切割成一片一片的硅圆片62

2.4.4 硅圆片有各种不同的类型64

2.5 抛光片、退火片、外延片、SOI片66

2.5.1 抛光片和退火片66

2.5.2 外延片68

2.5.3 SOI片70

书角茶桌

“硅是上帝赐予人类的宝物”72

第3章 集成电路制作工艺流程

3.1 集成电路逻辑LSI元件的结构74

3.1.1 双极结型器件的结构74

3.1.2 硅栅MOS器件的结构76

3.1.3 硅栅CMOS器件的结构78

3.1.4 BiCMOS器件和SOI器件的结构80

3.2 LSI的制作工艺流程82

3.2.1 利用光刻形成接触孔和布线层的实例82

3.2.2 曝光，显影84

3.2.3 光刻工程发展梗概86

3.2.4 “负型”和“正型”光刻胶感光反应原理88

3.2.5 光刻工艺流程90

3.2.6 硅圆片清洗、氧化、绝缘膜生长——光刻92

3.2.7 绝缘膜区域刻蚀——栅氧化膜的形成94

3.2.8 栅电极多晶硅生长——向n沟道源-漏的离子注入96

3.2.9 向p沟道的光刻、硼离子注入——欧姆接触埋置98

3.2.10 第1层金属膜生长——电极焊盘形成100

3.2.11 铜布线的大马士革工艺 102

3.2.12 如何发展我们的IC芯片制造产业104

3.3 IC芯片制造工艺的分类和组合106

3.3.1 IC芯片制造中的基本工艺 106

3.3.2 IC芯片制造中的复合工艺108

3.3.3 工艺过程的模块化110

3.3.4 基板工艺和布线工艺112

书角茶桌

世界集成电路产业发展的领军人物114

第4章 薄膜沉积和图形加工

4.1 DRAM元件和LSI元件中使用的各种薄膜120

4.1.1 元件结构及使用的各种薄膜120

4.1.2 DRAM中电容结构的变迁122

4.1.3 DRAM中的三维结构存储单元124

4.1.4 薄膜材料在集成电路中的应用126

4.2 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（1）——PVD法128

4.2.1 VLSI制作中应用不同种类的薄膜128

4.2.2 多晶硅薄膜在集成电路中的应用130

4.2.3 IC制程中常用的金属132

4.2.4 真空蒸镀134

4.2.5 离子溅射和溅射镀膜136

4.3 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（2）——CVD法138

4.3.1 用于VLSI制作的CVD法分类138

4.3.2 CVD中主要的反应装置140

4.3.3 等离子体CVD（PCVD）过程中传输、 反应和成膜的过程142

4.3.4 晶圆流程中的各种处理室方式144

4.4 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（3）——各种方法的比较146

4.4.1 各种成膜方法的比较146

4.4.2 热氧化膜的形成方法148

4.4.3 热氧化膜的形成过程150

4.4.4 用于VLSI的薄膜种类和制作方法 152

4.4.5 用于VLSI制作的CVD法154

4.5 布线缺陷的改进和消除——Cu布线代替Al布线156

4.5.1 影响电子元器件寿命的大敌——电迁移156

4.5.2 断线和电路缺陷的形成原因以及预防、修补措施158

4.5.3 Cu布线代替Al布线的理由160

4.5.4 用电镀法即可制作Cu布线162

4.5.5 铝用于IC芯片的优缺点 164

4.6 曝光光源不断向短波长进展166

4.6.1 如何由薄膜加工成图形166

4.6.2 几种常用的光曝光方法168

4.6.3 光刻对周边技术的要求170

4.6.4 曝光波长的变迁及相关的技术保证172

4.6.5 光刻系统的发展及展望174

4.7 光学曝光技术176

4.7.1 图形曝光装置的分类及变迁176

4.7.2 光曝光方式178

4.7.3 近接曝光和缩小投影曝光180

4.7.4 曝光中的各种位相补偿措施182

4.8 电子束曝光和离子束曝光技术184

4.8.1 电子束曝光技术184

4.8.2 低能电子束近接曝光（LEEPL）技术186

4.8.3 软X射线缩小投影(EUV)曝光技术188

4.8.4 离子束曝光技术190

4.9 干法刻蚀替代湿法刻蚀192

4.9.1 刻蚀技术在VLSI制作中的应用192

4.9.2 干法刻蚀与湿法刻蚀的比较194

4.9.3 干法刻蚀装置的种类及刻蚀特征196

4.9.4 干法刻蚀（RIE模式）反应中所发生的现象198

4.9.5 高密度等离子体刻蚀装置200

书角茶桌

世界芯片产业的十大领头企业202

第5章 杂质掺杂——热扩散和离子注入

5.1 集成电路制造中的热处理工艺208

5.1.1 IC芯片制程中的热处理工艺（Hot Process）208

5.1.2 热氧化膜的形成技术210

5.1.3 至关重要的栅绝缘膜212

5.2 用于杂质掺杂的热扩散工艺214

5.2.1 LSI制作中杂质导入的目的214

5.2.2 杂质掺杂中离子注入法与热扩散法的比较216

5.2.3 求解热扩散杂质的浓度分布218

5.2.4 热处理的目的——推进，ping坦化，电气活性化220

5.2.5 硅中杂质元素的行为222

5.3 精准的杂质掺杂技术（1）——离子注入的原理224

5.3.1 离子注入原理224

5.3.2 离子注入装置226

5.3.3 低能离子注入和高速退火228

5.3.4 离子注入的浓度分布230

5.4 精准的杂质掺杂技术（2）——离子注入的应用232

5.4.1 标准的MOS三极管中离子注入的部位232

5.4.2 基本的阱构造及倒梯度阱构造234

5.4.3 单阱形成236

5.4.4 双阱形成238

5.4.5 离子注入在CMOS中的应用240

5.4.6 离子注入用于浅结形成242

书角茶桌

“核心技术是国之重器”244

第6章 摩尔定律能否继续有效

6.1 多层化布线已进入第4代246

6.1.1 多层化布线——适应微细化和高集成度的要求246

6.1.2 第1代和第2代多层化布线技术——逐层沉积和玻璃流ping248

6.1.3 第3代多层化布线技术——导入CMP250

6.1.4 第4代多层化布线技术——导入大马士革工艺252

6.2 铜布线的单大马士革和双大马士革工艺254

6.2.1 Cu大马士革布线逐渐代替Al布线254

6.2.2 大马士革工艺即中国的景泰蓝金属镶嵌工艺256

6.2.3 从Al布线+W柱塞到Cu双大马士革布线258

6.2.4 Cu双大马士革布线结构及可能出现的问题260

6.3 摩尔定律能否继续有效？262

6.3.1 半导体器件向巨大化和微细化发展的两个趋势262

6.3.2 芯片集成度不断沿摩尔定律轨迹前进264

6.3.3 “摩尔定律并非物理学定律”,“而是描述产业化的定律” 266

6.3.4 “踮起脚来，跳起来摘苹果”268

6.4 新材料的导入——“制造材料者制造技术”270

6.4.1 多层布线层间膜，DRAM电容膜，Cu布线材料270

6.4.2 硅材料体系仍有潜力（1）272

6.4.3 硅材料体系仍有潜力（2）274

6.4.4 化合物半导体焕发活力276

6.5 如何实现器件的高性能？278

6.5.1 整机对器件的高性能化要求越来越高278

6.5.2 器件的高性能化依赖于新工艺、新材料280

6.5.3 要同时从基板工艺和布线工艺入手282

6.6 从100nm到7nm——以材料和工艺的创新为支撑284

6.6.1 纯硅基MOS管和多晶硅/high-k基MOS管284

6.6.2 金属栅/high-k基MOS管和鳍式场效应晶体管（FinFET）286

6.6.3 90nm——应变硅288

6.6.4 45nm——high-k绝缘层和金属栅极290

6.6.5 22nm——鳍式场效应晶体管292

6.6.6 7nm —— EUV 光刻和 SiGe-Channel294

书角茶桌

集聚#强的力量打好核心技术研发攻坚战296

参考文献297

作者简介298

芯片改变世界

定价

79.00

出版社

机械工业出版社

出版时间

2019年12月

开本

作者

钱纲

页数

368

ISBN编码

9787111638056

内容介绍

本书是芯片技术发展的科普图书，重点讲述了电子工业的产生，早期电子器件、半导体器件、及芯片的产生与发展的历史。把芯片技术与其发展史结合起来，描绘芯片产业与第三、第四次工业革命的兴起及发展过程。本书的主角是芯片技术的历史沿革、发明家、创业家、风险投资家及企业家。

目录

前言

导言　芯片简历

dy篇　半导体材料和半导体器件的前世今生

01 晶体三极管之前的半导体002

02 晶体三极管之前 重要的电子器件：真空管007

03 无线电通信和真空管收音机015

04 真空管带来的全新电子技术和 初的电子计算机026

05 发明晶体管：贝尔实验室的奇迹033

06 晶体管时代的到来041

07 芯片概念的形成054

08 芯片工艺：贝尔实验室奠定的半导体工艺基础059

第二篇　创造奇迹的芯片

09 发明芯片：德州仪器和基尔比的奇迹068

10 美国传奇：芯片产业之父罗伯特·诺伊斯080

11 硅谷传奇：“叛逆八人帮”和仙童半导体公司的诞生090

12 芯片产业的摇篮：仙童半导体公司095

13 改进的器件和技术：场效应管技术102

14 芯片的制造流程108

15 摩尔定律：芯片产业的发展路径120

16 第三次工业革命的种子：诺伊斯领导下的美国芯片产业131

第三篇　改变世界的芯片

17 半导体芯片的种类、设计流程、生产流程和应用领域150

18 工业革命3.0的发端：格鲁夫缔造的英特尔传奇158

19 芯片上的存储器：人脑记忆功能的拓展168

20 芯片上的计算机：泰德·霍夫的微处理器183

21 改变世界的微处理器195

22 ARM传奇：ARM处理器的诞生209

23 移动通信设备的大脑：ARM处理器的成长225

24 人机界面的核心：图形处理器芯片GPU238

25 通向专用芯片之路：未来GPU的发展方向250

26 西风东渐：中国工业革命中的芯片产业262

27 芯片业代工模式的代表：台湾积体电路制造股份有限公司273

28 带领中国芯片业进入工业革命4.0的芯片人：中芯 公司创始人张汝京282

第四篇　未来的芯片

29 硅工艺制程的极限：摩尔定律的终结302

30 未来的芯片314

附录A　改变世界的芯片之一：英雄时代（1970～1980年）326

附录B　改变世界的芯片之二：成熟时期（1980～2018年）342

参考文献355

芯想事成中国芯片产业的博弈与突围

定价

59.00

出版社

人民邮电出版社

出版时间

2018年08月

开本

16

作者

陈芳

页数

240

ISBN编码

9787115492098

内容介绍

"太平洋彼岸的一则禁令，让国人感受到了一颗小芯片的分量。对中兴“定向打击”释放出非同寻常的信号，令中国IT企业感到寒意袭人。面临严峻局势，人们日益明白这样的硬道理：核心技术乃国之重器。加快构建关键核心技术攻坚体制，打好“芯片”攻坚战，是必须跨越之坎。

本书以国家通讯社记者的专业视角，将太平洋彼岸“一剑封喉”的制裁事件，还原到中国改革开放的历史长周期和多国在高技术领域激烈博弈的坐标系上，深刻、主动、客观地再现中国创新发展的艰难历程与艰苦卓绝的努力，多维度解读中国芯片困境，不仅是对芯片之路道阻且长的冷静评判和剖析，更是对创新发展规律的总结提炼与再认识。

罗马不是一天建成的。中国“芯”之路没有捷径可走。本书主要分析中美贸易摩擦的实质，研判芯片被“卡脖子”的风险，透过集成电路的世纪变迁，对比芯片在美、日、韩等国的崛起之路，追溯中国芯片产业从无到有的发展历程，填补芯片技术与公众认知之间的鸿沟，前瞻中国“芯”如何突围。

"

作者简介

"陈芳:新华社记者，“十佳编辑”。长期从事宏观经济和科技报道，执着于重大问题、焦点问题的调查研究，多篇作品获得中国新闻奖。关于钢铁业宏观调控的调查，是当年具有影响力的调查报道，获得中国新闻奖。

董瑞丰:新华社主任记者，长期从事时政报道。曾在国外驻点，现专注于科技报道。多篇作品获得中国科技类好新闻奖。"

目录

"第 1章 美国要打“科技冷战” 

引子

1.1 美国人突然动手

1.2 为什么是中兴

1.3 “贸易战”还是“科技战”

1.4 神秘报告背后的芯片焦虑

1.5 日本曾遭“极限施压”

1.6 “灰犀牛”风险向高新技术领域扩散

第 2章 大国博弈的“锁喉技”

引子

2.1 中国IT行业会瘫痪吗

2.2 2000亿美元进口的“芯”之殇

2.3 随时挥舞的“大棒”

2.4 核心技术要不来、讨不来

2.5 中国还有哪些“心绞痛”

第3章 无处不在的芯片

引子

3.1 解密“芯片家族”

3.2 从“巨无霸”到“小精灵”： 芯片的世纪变迁

3.3 上百道工序：指甲盖大小藏有多少秘密

3.4 芯片背后的全球工业体系之争

第4章 大时代的芯片风云

引子

4.1 “轮子之后最重要的发明”

4.2 先有仙童，后有硅谷

4.3 英特尔：至暗时刻的转型

4.4 日本的“举国体制”

4.5 韩国用战争赔款给三星“输血”

4.6 台积电“异军突起”

第5章 风雨兼程60年

引子

5.1 中国“芯”梦幻开局

5.2 芯片传奇“三枝花”

5.3 从落后5年到落后20年

5.4 造得出“两弹一星”，造不出芯片？

5.5 “砸锅卖铁”也要把芯片搞上去

5.6 新世纪的曙光

第6章 寻找中国的“英特尔”

引子

6.1 中国“芯”布局

6.2 从“方舟”到“龙芯”：造 CPU 有多难

6.3 华为“死磕”麒麟芯片

6.4 超级计算机用上了中国“芯”

6.5 紫光掀起投资旋风

6.6 AI 芯片弯道超车？

6.7 BAT开启“新赛道”

第7章 中国“芯”突围

引子

7.1 徐匡迪：“大国精器”必须强起来

7.2 李国杰：自主可控并不代表“封闭”

7.3 倪光南：中国“芯”要跨越两座“大山”

7.4 胡伟武：核心技术要在试错中发展

7.5 中国“芯”在全球化下的供应链安全

7.6 创“芯”是接力赛"

芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第六版）

定价

69.00

出版社

电子工业出版社

出版时间

2015年01月

开本

16开

作者

[美] Peter Van Zant 著；韩郑生 译

页数

ISBN编码

9787121243363

内容介绍

《国外电子与通信教材系列·芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍， 在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围括半导体工艺的每个阶段： 从原材料的制备到封装、 测试和成品运输， 以及传统的和现代的工艺。《国外电子与通信教材系列·芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》提供了详细的插图和实例， 每章含回顾总结和习题， 并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展， 讨论了用于图形化、 掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖#端技术， 使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、 化学和电子的基础信息更易理解。《国外电子与通信教材系列·芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容， 并加入了半导体业界的新成果， 可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

目录

第1章 半导体产业

1．1 引言

1．2 一个产业的诞生

1．3 固态时代

1．4 集成电路

1．5 工艺和产品趋势

1．6 半导体产业的构成

1．7 生产阶段

1．8 微芯片制造过程发展的

60年

1．9 纳时代

习题

参考文献

第2章 半导体材料和化学品的特性

2．1 引言

2．2 原子结构

2．3 元素周期表

2．4 电传导

2．5 绝缘体和电容器

2．6 本征半导体

2．7 掺杂半导体

2．8 电子和空穴传导

2．9 半导体生产材料

2． 半导体化合物

2．11 锗化硅

2．12 衬底工程

2．13 铁电材料

2．14 金刚石半导体

2．15 工艺化学品

2．16 物质的状态

2．17 物质的性质

2．18 压力和真空

2．19 酸、 碱和溶剂

2．20 化学纯化和清洗

习题

参考文献

第3章 晶体生长与硅晶圆制备

3．1 引言

3．2 半导体硅制备

3．3 晶体材料

3．4 晶体定向

3．5 晶体生长

3．6 晶体和晶圆质量

3．7 晶圆准备

3．8 切片

3．9 晶圆刻号

3． 磨片

3．11 化学机械抛光

3．12 背面处理

3．13 双面抛光

3．14 边缘倒角和抛光

3．15 晶圆评估

3．16 氧化

3．17 装

3．18 工程化晶圆（衬底）

习题

参考文献

第4章 晶圆制造和封装概述

4．1 引言

4．2 晶圆生产的目标

4．3 晶圆术语

4．4 芯片术语

4．5 晶圆生产的基础工艺

4．6 薄膜工艺

4．7 晶圆制造实例

4．8 晶圆中测

4．9 集成电路的封装

4． 小结

习题

参考文献

第5章 污染控制

5．1 引言

5．2 污染源

5．3 净化间的建设

5．4 净化间的物质与供给

5．5 净化间的维护

5．6 晶片表面清洗

习题

参考文献

第6章 生产能力和工艺良品率

6．1 引言

6．2 良品率测量点

6．3 累积晶圆生产良品率

6．4 晶圆生产良品率的制约因素

6．5 封装和终测试良品率

6．6 整体工艺良品率

习题

参考文献

第7章 氧化

7．1 引言

7．2 二氧化硅层的用途

7．3 热氧化机制

7．4 氧化工艺

7．5 氧化后评估

习题

参考文献

第8章 十步图形化工艺流程――从表面

制备到曝光

8．1 引言

8．2 光刻工艺概述

8．3 光刻十步法工艺过程

8．4 基本的光刻胶化学

8．5 光刻胶性能的要素

8．6 光刻胶的物理属性

8．7 光刻工艺： 从表面准备到曝光

8．8 表面准备

8．9 涂光刻胶（旋转式）

8． 软烘焙

8．11 对准和曝光

8．12 先进的光刻

习题

参考文献

第9章 十步图形化工艺流程――从显影到终检验

9．1 引言

9．2 硬烘焙

9．3 刻蚀

9．4 湿法刻蚀

9．5 干法刻蚀

9．6 干法刻蚀中光刻胶的影响

9．7 光刻胶的去除

9．8 去胶的新挑战

9．9 终目检

9． 掩模版的制作

9．11 小结

习题

参考文献

第章 下一代光刻技术

．1 引言

．2 下一代光刻工艺的挑战

．3 其他曝光问题

．4 其他解决方案及其挑战

．5 晶圆表面问题

．6 防反射涂层

．7 高#级光刻胶工艺

．8 改进刻蚀工艺

．9 自对准结构

． 刻蚀轮廓控制

习题

参考文献

第11章 掺杂

11．1 引言

11．2 扩散的概念

11．3 扩散形成的掺杂区和结

11．4 扩散工艺的步骤

11．5 淀积

11．6 推进氧化

11．7 离子注入简介

11．8 离子注入的概念

11．9 离子注入系统

11． 离子注入区域的杂质浓度

11．11 离子注入层的评估

11．12 离子注入的应用

11．13 掺杂前景展望

习题

参考文献

第12章 薄膜淀积

12．1 引言

12．2 化学气相淀积基础

12．3 CVD的工艺步骤

12．4 CVD系统分类

12．5 常压CVD系统

12．6 低压化学气相淀积（LPCVD）

12．7 原子层淀积

12．8 气相外延

12．9 分子束外延

12． 金属有机物CVD

12．11 淀积膜

12．12 淀积的半导体膜

12．13 外延硅

12．14 多晶硅和晶硅淀积

12．15 SOS和SOI

12．16 在硅上生长砷化镓

12．17 绝缘体和绝缘介质

12．18 导体

习题

参考文献

第13章 金属化

13．1 引言

13．2 淀积方法

13．3 单层金属

13．4 多层金属设计

13．5 导体材料

13．6 金属塞

13．7 溅射淀积

13．8 电化学镀膜

13．9 化学机械工艺

13． CVD金属淀积

13．11 金属薄膜的用途

13．12 真空系统

习题

参考文献

第14章 工艺和器件的评估

14．1 引言

14．2 晶圆的电特性测量

14．3 工艺和器件评估

14．4 物理测试方法

14．5 层厚的测量

14．6 栅氧化层完整性电学测量

14．7 结深

14．8 污染物和缺陷检测

14．9 总体表面特征

14． 污染认定

14．11 器件电学测量

习题

参考文献

第15章 晶圆制造中的商业因素

15．1 引言

15．2 晶圆制造的成本

15．3 自动化

15．4 工厂层次的自动化

15．5 设备标准

15．6 统计制程控制

15．7 库存控制

15．8 质量控制和ISO 9000认证

15．9 生产线组织架构

习题

参考文献

第16章 形成器件和集成电路的

介绍

16．1 引言

16．2 半导体器件的形成

16．3 可替换MOSFET按比例缩小的挑战

16．4 集成电路的形成

16．5 Bi MOS

16．6 超导体

习题

参考文献

第17章 集成电路的介绍

17．1 引言

17．2 电路基础

17．3 集成电路的类型

17．4 下一代产品

习题

参考文献

第18章 封装

18．1 引言

18．2 芯片的特性

18．3 封装功能和设计

18．4 引线键合工艺

18．5 凸点或焊球工艺示例

18．6 封装设计

18．7 封装类型和技术小结

习题

参考文献

术语表

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书籍介绍

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍， 在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段： 从原材料的制备到封装、 测试和成品运输， 以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例， 每章包含回顾总结和习题， 并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展， 讨论了用于图形化、 掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术， 使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、 化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容， 并加入了半导体业界的新成果， 可以使读者了解工艺技术发展的趋势。